Hahn-Schickard beabsichtigt eine Neuanschaffung einer Cluster-Trockenätzanlage für die Strukturierung von Silizium und dielektrischen Schichten. Die Anlage muss für die Bearbeitung von 100 mm- und 150 mm-Wafern geeignet sein und soll dem 200 mm SEMI MESC Standard entsprechen. Die Anlage soll aus zwei ICP-RIE Kammern bestehen und jeweils über eine eigene Kassettenstation beladen werden. Die Anlage ist für einen 3-Schichtbetrieb auszulegen und soll für den Betrieb in einem Reinraum der Klasse 10 (ISO 4) geeignet sein.