Für die ohmsche Kontaktierung auf der Vorder- als auch auf der Rückseite von SiC-Leistungsbauelementen und für künftige Schottkykontakte sind vor allem neuartige Metallisierungen in verschiedenen Zusammensetzungen nötig. Für einen späteren Aufbau in einem Modul ist auch eine auf SiC angepasste lötfähige Rückseitenmetallisierung nötig. Die zu beschaffende Sputteranlage soll in einer Kammer das Sputtern von neuartigen Schottky- und Ohmkontakten verschiedener Zusammensetzungen und in einer weiteren das Sputtern von angepassten lötbaren Rückseitenmetallisierungen ermöglichen.

Für die ohmsche Kontaktierung auf der Vorder- als auch auf der Rückseite von SiC-Leistungsbauelementen und für künftige Schottkykontakte sind vor allem neuartige Metallisierungen in verschiedenen Zusammensetzungen nötig. Für einen späteren Aufbau in einem Modul ist auch eine auf SiC angepasste lötfähige Rückseitenmetallisierung nötig. Die zu beschaffende Sputteranlage soll in einer Kammer das Sputtern von neuartigen Schottky- und Ohmkontakten verschiedener Zusammensetzungen und in einer weiteren das Sputtern von angepassten lötbaren Rückseitenmetallisierungen ermöglichen.