UHV Dünnschicht-Depositionssystem für die Herstellung supraleitender Quantenschaltkreise mit Hilfe von Elektronenstrahlverdampfung und Sputter-Deposition. Das System muss UHV-Bedingungen zur Verfügung stellen und eine Ladeschleuse mit der Möglichkeit für die Reinigung von Substratoberflächen besitzen. Die Depositionskammer muss einen dreh- und kippbaren Substrathalter für 4-Zoll Substrate besitzen, um eine Schrägbedampfung unter verschiedenen Winkeln zu ermöglichen (Näheres siehe Leistungsbeschreibung).
Es wird ein UHV Dünnschicht-Depositionssystem beschafft, mit dem supraleitende Quantenschaltkreise aus Al mit Hilfe von Elektronenstrahlverdampfung auf 4-Zoll Substraten hergestellt werden können. Das System soll aus einer Ladeschleuse, einer Sputterkammer sowie einer Kammer für die Elektronenstrahlverdampfung und Oxidation von Al bestehen. Es muss einen dreh-, kipp- und heizbaren (<750
Ausschlusskriterien hinsichtlich der technischen Spezifikationen sind hierbei:
— die maximale Stellfläche des Gesamtsystems muss kleiner als 400 cm x 300 cm, die maximale Höhe kleiner als 330 cm sein, das System muss durch eine 200 cm hohe und 120 cm breite Tür eingebracht werden können,
— der erreichbare Basisdruck in der Depositions- und Sputterkammer muss kleiner als 5x10^-9 mbar (gewünscht wird ein Basisdruck kleiner als1x10^-9 mbar) sein,
— das Depositionssystem muss für Substratgrößen von bis zu 4 Zoll geeignet sein und homogene Beschichtungs- und Reinigungsprozesse für diese Substratgröße ermöglichen (Schichtdickenvariation: <5 %),
— das Depositionssystem muss automatisierte Depositionsprozesse und einen automatisierten Oxidationsprozess im Druckbereich zwischen 0,001 und 1000 mbar in der Oxidationskammer ermöglichen,
— die Lieferzeit muss kleiner gleich 10 Monate sein.