Hahn-Schickard beabsichtigt die Neuanschaffung einer Anlage für das Waferbonden von

100 mm-150 mm-Substraten als Ersatz bzw. technologische Erweiterung vorhandener Gerätschaften. Die neu zu beschaffende Anlage muss das Waferbonden mit verschiedenen technologischen Verfahren ermöglichen, insbesondere Si-Fusion-, Glaslot-, anodisches-, Thermokompressions- und eutektisches Bonden.

Die Anlage ist für einen 3-Schichtbetrieb auszulegen. Sie ist außerdem für einen Betrieb in einem Reinraum der Klasse 10 (ISO 4) auszulegen.

Die Anlage stellt eine voll funktionsfähige Einheit mit allen zur Produktion erforderlichen Komponenten (Monitore, Bedienelemente, maschinenspezifische Adapter, Prozesspfade, Wartungspfade etc.) dar. Es existieren nach Übergabe/Abnahme produktionstaugliche Prozesse. Die Bedienung ist hierarchisch aufzubauen. Es ist ein Bedienermodus, ein Entwicklungsmodus und ein Servicemodus zu realisieren. Prozessdaten (Rohdaten) sind lokal auf dem System selbst zu speichern, sowie über eine ASCII-Schnittstelle abrufbar. Weiterhin muss auch die Anbindung an ein lokales Netzwerk möglich sein.