Inductively Coupled Plasma (ICP) Ätzsystem mit Vakuumschleuse

Beschafft werden soll eine erprobte Anlage, welche u.a. zur Nanostrukturierung von III-V Verbindungshalbleitern geeignet ist.

Die ICP Quelle und ICP Plasmakammer sollen für kleine Wafer bis max. 50 mm Durchmesser optimiert sein.

Die Anlage muss im RIE Mode und im ICP Mode betrieben werden können.

Substrat-Elektrode geeignet für Bruchstücke und bis zu 200 mm Wafer (ohne Umbauten)

Elektrodentemperatur regelbar (-30 bis + 80° C)

Platzbedarf des Systems < = 170 cm x 65 cm

Das Angebot soll umfassen:

Vakuumsystem

Separater Gas Pod für max. 8 MFC-kontrollierte Gaslinien

Vakuumschleuse

Laserinterferometer zur Endpunkterkennung

Systemsteuerung per Software

Sonstiges

Das System muss den relevanten aktuell gültigen Normen, Zertifizierungen und Standards entsprechen

Der Hersteller soll gute Prozessunterstützung gewährleiten können

Gesetzliche Gewährleistung

Lieferung frei Verwendungsstelle.

Inductively Coupled Plasma (ICP) Ätzsystem mit Vakuumschleuse

Beschafft werden soll eine erprobte Anlage, welche u. a. zur Nanostrukturierung von III-V Verbindungshalbleitern geeignet ist

Prozesskammer

Aluminiumkammer aus einem vollen Al-Block gefräst

Pumpen Flansch > = 200 mm für sehr hohes effektives Saugvermögen

> = 40 mm Flansch mit Sichtfenster + zusätzlicher seitlicher Port.

Systemdesign inkl. Plasmaquelle und Pumpsystem voll radialsymmetrisch, um beste Gleichmäßigkeit über einen großen Parameterbereich zu gewährleisten.

ICP-Plasmakammer Innendurchmesser 50-80 mm.

Elektrische Kammerheizung bis mind. 80°C

Substrat-Elektrode

> = 200 mm, geeignet für Bruchstücke und bis zu 200 mm Wafer

Helium-Rückseiten-Kühlung (softwaregesteuert) mit mechanischer Klemmung

Klemmvorrichtung für Wafer (2“) inklusive

Elektrodentemperatur regelbar (softwaregesteuert) im Bereich -30 bis + 80° C

Max. Substrat-Dicke: bis zu 10 mm incl. Carrier

Das Prozessieren von Substraten bis 200 mm Durchmesser und Bruchstücken muss ohne Umbauten möglich sein.

Plasmaquellen

Substrat-Elektrode

Leistung 300 W, 13,56 MHz

Aluminium-Dunkelraumschild auf Massepotential

ICP Quelle optimiert für kleine Wafer bis max. 50 mm Durchmesser

ICP-Typ: helical

ohne kapazitive Komponente d.h. mit (entfernbarer) elektrostatischer Abschirmung

ICP-Keramik: Aluminiumoxid

Die Anlage muss ohne mechanische Änderungen im RIE Mode und im ICP Mode betrieben werden können.

Leistung > = 600 W (13.56 MHz)

Beide Einheiten zur automatischen Hochfrequenzabstimmung (AMU) müssen über zwei mit Schrittmotoren gesteuerte Vakuumkapazitäten verfügen.

Reflektierte Leistung < 2 % der Vorwärtsleistung

Beide AMUs müssen direkt an die ICP Quelle bzw. Substratelektrode gekoppelt sein.

Vakuumsystem

Turbomolekular- Pumpe geeigneter Bauart

Elektrische Heizung des Pumpstutzens

Bitte als Option anbieten: Trockenläuferpumpe geeigneter Bauart (Reaktivgasbeständig mit N2-Spülung) und Saugleistung

Separater Gas Pod für max. 8 MFC-kontrollierte Gaslinien

5 MFC-gesteuerte Gasleitungen, davon 2 mit Bypass und intern metallgedichteten MFC, eine davon elektrisch beheizt

Gaslinien innen und außen elektropoliert und orbitalgeschweißt, Verschraubungen nur VCR

Vakuumschleuse

Vakuumschleuse mit kleinem Volumen < 6 Liter

Außenabmessungen lateral max. 30 cm x 50 cm

Aluminiumkammer aus einem vollen Al-Block gefräst

Großes oberes Sichtfenster (mind. 200 mm Durchmesser)

Interchamber Ventil VAT MonoVAT

Turbo mit mind. 70 l/s Saugleistung

Eigene Trockenpumpe mit >= 15 m3/ h

Pirani- und Penning-Röhren zur Vakuummessung

Laserinterferometer

Laserinterferometer (675 nm Wellenlänge, vollständig in die Systemsteuerung und Datalogging integriert, Endpunkterkennung mittels Intensität und 1. Ableitung, manueller x/y Tisch (Fahrbereich 10 mm in x und 10 mm in y Richtung), integrierte Kamera)

Systemsteuerung

Die komplette Anlage soll von einem PC (Bevorzugtes Betriebssystem: Windows 10) gesteuert werden

MESC

Das System muss den MESC-Standard erfüllen.

Die Anlage sollte dem 200 mm SEMI-MESC-Standard entsprechen.

Sicherheit, CE

Das System muss die aktuell gültige CE-Norm erfüllen, insbesondere

EN13849

Maschinenrichtlinie – 2006/42/EG

Niederspannungsrichtlinie – 2006/95/EG

EMV-Richtlinie 2004/108/EG

Umwelt

Nachweis von Maßnahmen zur Umweltverträglichkeit, z B die ISO 14001:2004 Zertifizierung

Abmessungen

Platzbedarf des Systems < = 170 cm x 65 cm

(ohne Vorpumpen, PC, heater/ chiller, Gas Pod)

Sonstiges

Besuch eines Prozessspezialisten (mind. 3 Tage vor Ort) zum Prozessnachweis und Training

Service vor Ort

12 Monate Gewährleistung Lieferung frei Verwendungsstelle.