Le présent marché porte sur les prestations de fourniture, la livraison, l'installation, la mise en service et la formation d'un bâti de croissance épitaxiale par jets moléculaires de semi-conducteurs.

La configuration du système consiste en une chambre de croissance MBE capable d'évaporer 10 ou plus matériaux sources sur des substrats de 2 «de diamètre ou plus avec un haut degré d'uniformité. Au moins 3 de ces matériaux de base seront des métaux de transition s'évaporant à haute température et au moins 7 seront des métaux et semi-conducteurs s'évaporant à températures accessible par des cellules de Knudsen (K-cells) conventionnels. L'intégralité du système doit être compatible avec la croissance des composés séléniures et des tellurures.

Le système doit être équipé d'un sas de chargement à introduction rapide et d'une chambre de transfert/préparation.

En outre, le système souhaité devrait avoir la possibilité d'être connecté sous ultravide à un microscope tunnel à balayage de type Omicron VT-STM, de faire croître des échantillons sur des petits supports d'échantillons de type pelle Omicron et de les transférer in situ de la chambre de croissance au STM.

Enfin, il devrait y avoir la possibilité d'étendre le système à l'avenir pour le connecter à d'autres chambres de préparation, de croissance ou de caractérisation.

L'empreinte de l'ensemble du système, y compris les racks électroniques et l'espace d'accès à la maintenance autour du système ultravide, doit être inférieure à 4 m x 5 m (largeur x profondeur) et de hauteur (point le plus haut du système: bâti et rack électronique) soit aussi inférieure à 1.9 m du niveau du sol.

1.5 Spécifications techniques et caractéristiques fonctionnelles de l'équipement

1.5.1 Enceinte ultra-vide MBE

La chambre de croissance ultravide avec cryo-panneau devrait permettre l'évaporation de 10 matériaux au minimum, dont au moins 7 seront évaporé en utilisant les K-cells ou crackers conventionnels (température d'opération maxi. 1400 °C), et au moins 3 seront évaporés en utilisant les sources canon à électrons.

L'ensemble du bâti de croissance doit résister à l'effet corrosif du sélénium et du tellure.

La géométrie proposée des brides-cellules avec des cellules proposés (1.5.3) devrait avoir comme résultat une variation en épaisseur de moins de 2 % sur un substrat de diamètre deux pouces.

La configuration des sources sera:

Soit Configuration 1:

Au moins 10 piquages pour les sources de matériaux, dont:

— au moins 8 brides-cellules de taille ≥ DN 63CF avec le même angle d'incidence par rapport du substrat,

— au moins 2 brides-cellules de taille ≥ DN 40CF.

Soit Configuration 2:

Au moins 9 piquages pour les sources de matériaux, dont:

— au moins 6 brides-cellules de taille ≥ DN 63CF avec le même angle d'incidence par rapport du substrat,

— au moins 2 brides-cellules de taille ≥ DN 40CF,

— au moins 1 bride ≥ DN 160CF pour le montage d'une source canon à électrons multi-pocket horizontale.

La chambre doit avoir les caractéristiques techniques suivantes:

— vide de base < 5E-11 mbar après étuvage (sans cryo-panneau refroidi),

— cryo-panneau avec connexions de type “Vaccuum Barrier Systems” (VBS),

— pompe ionique (400 L/s minimum) avec vanne tiroir manuelle,

— pompe par sublimation de titane avec cryo-panneau,

— piquage (DN160 CF) blanké où une deuxième pompe peut être ajoutée à l'avenir,

— vanne tiroir manuelle entre chambre de croissance et de transfert,

— vanne d'équerre UHV pour pompage et remise à l'air,

— les piquages pour les caches pour chaque bride-cellule.

— les piquages pour les mesures in-situ suivants:

1) pyrométrie, avec hublot et cache-hublot manuel;

2) ellipsométrie — “blankés”;

3) “optical flux monitoring” — “blankés”;

4) 2 pour flux monitors (voir 1.5.4);

5) RGA (voir 1.5.5);

6) RHEED, avec écran RHEED et cache-hublot manuel. (voir 1.5.6);

7) ≥ 1 pour jauges à vide

— hublots de visée (avec cache-hublots avec actionnement manuel) permettant l'observation de toutes les cellules pendant de la croissance, et permettant d'apercevoir le transfert des échantillons et l'échantillon en position de croissance. À spécifier sur le plan du bâti.

— une jauge Baya.