Hahn-Schickard beabsichtigt die Neuanschaffung einer Parallelplattenreaktor-PECVD-Anlage für das Beschichten von hauptsächlich 100 mm- und 150 mm-Wafern als Ersatz bzw. technologische Erweiterung vorhandener Gerätschaften. Die Anlage muss das Beschichten mit unterscheidlichen PECVD-Schichten wie SiO2 und Si3N4 ermöglichen und ist für einen 3-Schichtbetrieb in einem Reinraum der Klasse 10 (ISO 4) auszulegen.