Hahn-Schickard beschaffte eine Cluster-Trockenätzanlage für die Strukturierung von Silizium und dielektrischen Schichten. Die Anlage ist für die Bearbeitung von 100 mm- und 150 mm-Wafern geeignet und entspricht dem 200 mm SEMI MESC Standard. Die Anlage besteht aus 2 ICP-RIE-Kammern, die jeweils über eine eigene Kassettenstation beladen werden. Die Anlage ist für einen 3-Schichtbetrieb ausgelegt und ist für den Betrieb in einem Reinraum der Klasse 10 (ISO 4) geeignet.